摘要：中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“一种水基钻井液降黏剂和水基钻井液体系及其制备方法”，公开号CN117343228A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种水基钻井液降黏剂和水基钻井液体系及其制备方法，能够得到抗高温高密度的降黏剂，满足高温高密度后面会介绍。
...≡(▔﹏▔)≡
中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“一种水基钻井液降黏剂和水基钻井液体系及其制备方法”，公开号CN117343228A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种水基钻井液降黏剂和水基钻井液体系及其制备方法，能够得到抗高温高密度的降黏剂，满足高温高密度后面会介绍。
ˋ０ˊ
金融界2024年1月2日消息，据国家知识产权局公告，通用电气公司申请一项名为“用于将钎焊合金材料热喷涂到镍基部件上以促进具有低不连续性的高密度钎焊接头的方法和系统“公开号CN117328007A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种用于将钎焊合金材料热喷好了吧！
≥０≤
jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 2 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， tong yong dian qi gong si shen qing yi xiang ming wei “ yong yu jiang qian han he jin cai liao re pen tu dao nie ji bu jian shang yi cu jin ju you di bu lian xu xing de gao mi du qian han jie tou de fang fa he xi tong “ gong kai hao C N 1 1 7 3 2 8 0 0 7 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 6 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming gong kai le yi zhong yong yu jiang qian han he jin cai liao re pen hao le ba ！
⊙＾⊙
相较过去每年十几次的高密度发射任务而言，长三甲系列火箭今年发射次数较少。长三甲系列火箭型号总体设计师张耘隆对此表示，今年团队一点都没闲着，除了高标准保障每次发射任务，还持续推进信息化、数字化转型，更重要的是实现了运载能力和可靠性“双提升”版火箭首飞成功，为将是什么。
⊙△⊙
(^人^)
格隆汇12月29日，有投资者于投资者互动平台向朗科科技(300042)(300042.SZ)提问，“请问贵公司，在算力方面有什么布局”，公司回复称，公司子公司朗科智算目前推出的主要产品有智能小站、高密度智算站和AI服务器等，依托其智算产品和服务面向智慧城市、智慧安防、智慧矿山、智慧后面会介绍。
人工智能公共服务平台技术咨询服务、软件开发等。2)根据公司披露的《2023年度向特定对象发行A股股票预案》等公告，公司在人工智能领域规划了高密度大数据算力基础设施等项目。免责申明：内容来源于网络，若侵犯了您的权益，请及时发送邮件通知作者进行删除。合作投稿投诉：zh神经网络。
证券之星消息，根据企查查数据显示亨通光电(600487)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种大芯数高密度混合式光缆”，专利申请号为CN202321970984.7,授权日为2023年12月22日。专利摘要：一种大芯数高密度混合式光缆，包括有中心加强光纤组件、绞合光纤组件、空管部件好了吧！
˙ω˙
金融界2023年12月19日消息，据国家知识产权局公告，中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“用于自粘型预铺设防水卷材的高密度聚乙烯专用树脂组合物的制备方法“公开号CN117247623A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明了一种用于自粘型预铺设防水卷材的高密度好了吧！
╯＾╰
【手机中国新闻】说到折叠屏手机，由于力求轻薄的设计特性，其续航能力一般很难成为卖点。不过，据手机中国了解，中兴旗下的两款折叠屏手机都有望配备高密度电池，甚至在续航方面霸榜。近日，有数码博主爆料称，接下来中兴旗下除了大家关注的1.5K屏下摄像头手机外，还有横向折叠屏等我继续说。
ˇωˇ
所述光缆和底座之间还通过护套连接，且压接套被护套包覆。本实用新型同时具备厚度较小的矩形外壳和抗弯曲性能好的圆缆，集合矩形MT光接触件和圆形MT光接触件的优点，将接触件体积小型化，最大限度利用连接器的安装空间，实现矩形集成化连接器的高密度光信号传输。本文源自金等会说。
(=｀′=)
金融界2023年12月13日消息，据国家知识产权局公告，杭州广立微电子股份有限公司取得一项名为“一种高密度测试芯片的超高速测试系统“授权公告号CN220171191U,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本实用新型提供一种高密度测试芯片的超高速测试系统，至少包括函数发生器好了吧！
发表评论