金融界2024年4月30日消息,据国家知识产权局公告,广东风华高新科技股份有限公司取得一项名为“一种片式电阻器及其制备方法“授权公告号CN108666057B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种片式电阻器,包括绝缘基片;所述绝缘基片的上表面设有第一电阻层,所神经网络。
金融界2024年4月30日消息,据国家知识产权局公告,深圳市杰普特光电股份有限公司取得一项名为“贴片电阻激光调阻系统“授权公告号CN107895619B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本发明公开一种贴片电阻激光调阻系统,包括用于发射355nm短波长激光的UV激光发射器、..
jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 3 0 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , shen zhen shi jie pu te guang dian gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ tie pian dian zu ji guang tiao zu xi tong “ shou quan gong gao hao C N 1 0 7 8 9 5 6 1 9 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 7 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , ben fa ming gong kai yi zhong tie pian dian zu ji guang tiao zu xi tong , bao kuo yong yu fa she 3 5 5 n m duan bo chang ji guang de U V ji guang fa she qi 、 . .
金融界2024年4月30日消息,据国家知识产权局公告,广东风华高新科技股份有限公司取得一项名为“一种片式电阻器及其制造方法“授权公告号CN108962516B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示,本发明涉及一种片式电阻器及其制造方法,该片式电阻器包括:绝缘基板;第一正面电极,还有呢?
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依次串联在所述正极电压输入端子与所述信号地端子之间的第一电阻、第二电阻和第三电阻;所述参考地电压输入端子与所述第一电阻的负极连接;与所述第二电阻的负极连接的第一电压检测端子。本发明提供的光伏阵列对地绝缘阻抗检测电路结构简单,通过精密采样电阻高精度地连续检还有呢?
漏极两两之间由钝化层隔开。本发明的多个并联沟道设计可以降低耐高压GaN基HEMT导通电阻,进而降低损耗。这种多沟道结构可以广泛适用于基于p‑GaN帽层或MIS结构的增强型HEMT器件以及传统的耗尽型HEMT器件,可以优化耐压与导通的折中关系,有利于近一步提高现有器件的后面会介绍。
金融界4月29日消息,有投资者在互动平台向信维通信提问:董秘你好,请问贵司的常州工厂主要是生产哪种类型的产品为主?公司回答表示:常州工厂是公司重要的生产基地,生产线包括无线充电、LCP、高性能精密连接器、电阻、感应材料等业务。本文源自金融界AI电报
先制造得到栅极结构和p型体区,再在n型半导体层内形成沟槽,之后各向同性地进行离子注入形成p型掺杂区,再填充氧化层形成柱状绝缘层,这可以去除外延工艺,采用较低的热预算来制造芯片,在实现短沟道的同时还能够降低半导体超结功率器件的制造难度并降低导通电阻。本文源自金融好了吧!
金融界4月26日消息,安培龙披露投资者关系活动记录表显示,对于2023财年,公司热敏电阻及温度传感器实现营收36,942万元,占营收比为49.48%,较去年同期增长2.7%。压力传感器实现营收35,410万元,占营收比为47.43%,较去年同期增长43.12%。氧传感器及其他产品实现营收2,304万元后面会介绍。
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金属硅化物形成在与导电贯孔接触的源极/漏极区域的部分内,故可减少源极/漏极区域与导电贯孔之间的接触电阻。源极/漏极区域通过分散式布拉格反射器形成的开口而被激光退火。分散式布拉格反射器减少或防止对被分散式布拉格反射器保护的半导体装置其他区域的热破坏。本文源说完了。
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金融界2024年4月23日消息,据国家知识产权局公告,通用电气公司取得一项名为“半导体功率转换设备的集成栅极电阻器“授权公告号CN110945662B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,一种半导体功率转换设备,包括在有源区域的不同部分中的多个器件单元,每个器件单元包括各自是什么。
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