摘要：金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，广联达科技股份有限公司取得一项名为“基于平面套图的三维建模方法及三维建模装置“授权公告号CN112950764B,申请日期为2021年3月。专利摘要显示，本发明提供一种基于平面套图的三维建模方法及三维建模装置，所述方法包括等我继续说。
...金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，广联达科技股份有限公司取得一项名为“基于平面套图的三维建模方法及三维建模装置“授权公告号CN112950764B,申请日期为2021年3月。专利摘要显示，本发明提供一种基于平面套图的三维建模方法及三维建模装置，所述方法包括等我继续说。
金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，江西春光新材料科技股份有限公司申请一项名为“一种抓力可控的平面塑件的抓取设备及其抓取方法“公开号CN117885278A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种抓力可控的平面塑件的抓取设备及其抓取方法，涉好了吧！
jin rong jie 2 0 2 4 nian 4 yue 1 7 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， jiang xi chun guang xin cai liao ke ji gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ yi zhong zhua li ke kong de ping mian su jian de zhua qu she bei ji qi zhua qu fang fa “ gong kai hao C N 1 1 7 8 8 5 2 7 8 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 4 nian 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming gong kai le yi zhong zhua li ke kong de ping mian su jian de zhua qu she bei ji qi zhua qu fang fa ， she hao le ba ！
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金融界2024年4月17日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司取得一项名为“用于多SIM设备的控制平面“的专利，授权公告号CN114731732B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种用户装备(UE),该UE包括第一用户识别模块(SIM)和第二SIM。该UE被配置为：基于至少是什么。
金融界2024年4月16日消息，据国家知识产权局公告，阳光电源股份有限公司申请一项名为“平面型器件及开关功能电路“公开号CN117894794A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及电力电子技术领域，公开了平面型器件及开关功能电路，用于对平面型器件中芯片上高频跳还有呢？
新华社北京4月15日电《自然》旗下《通讯—地球与环境》杂志日前发表一项研究报告说，1998年至2017年间，在同一沿海地区同时出现热浪和短期极端海平面上升的情况与此前20年相比显著增加。所谓“热浪与极端海平面并发”事件，是指同一时期热浪和短期极端海平面上升在同一沿等我继续说。
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金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，马鞍山钢铁股份有限公司取得一项名为“一种平底盲孔的底面平面度测量装置和方法“授权公告号CN114674207B,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本发明公开了一种平底盲孔的底面平面度测量装置和方法，属于盲孔测量领域。..
金融界2024年4月15日消息，据国家知识产权局公告，荣耀终端有限公司取得一项名为“面向大规模点云的二维规则化平面投影及编解码方法“授权公告号CN114915790B,申请日期为2021年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种面向大规模点云的二维规则化平面投影方法及编解码方法等我继续说。
东风奕派eπ007选择了一个极具话题性的挑战：“飞跃海平面”，而且挑战也成功了。官方视频是相当精彩，电影级的拍摄手法，扣人心弦的情节和配乐，让人直呼过瘾。当然，作为圈内人，我们不能只看热闹，简单来分析一下这场挑战的含金量。首先，因为从起点到起跳坡的加速距离只有65米，且等我继续说。
其结构较为特殊，为异型件。材料为AL6061,主体中间为通圆，周围有侧窗、下陷槽等工位，上下面有密封槽，其中一侧外形上方有开口。本发明加工此结构件时需要分粗加工和精加工组合方式。本发明实现结构件平面度及平行度精度高；结构件几乎无变形，可以满足设计要求。本文源自金融是什么。
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金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法“公开号CN117878142A,申请日期为2024年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种集成肖特基二极管的平面栅型MOSFET及其制备方法，属于功率电子还有呢？
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